西安微电子所集成电路检验方法

西安微电子技术研究所作为国内集成电路研发的重要机构，其在集成电路检验方面有着丰富的经验和先进的技术。以下是根据提供的搜索结果整理的集成电路检验方法：

1. 非在线测量法

非在线测量法是在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行比照，以确定其是否正常 。

2. 在线测量法

在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏 。

3. 代换法

代换法是用完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判断出该集成电路是否损坏 。

4. 微处理器集成电路的检测

对于微处理器集成电路，关键测试引脚包括VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。需要测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值相同。不同型号微处理器的RESET复位电压也不相同，有的是低电平复位，有的是高电平复位 。

5. 集成电路EMC测试方法

集成电路的电磁兼容（EMC）测试主要包括辐射骚扰和传导骚扰的测试。辐射骚扰可以通过TEM小室法、表面扫描法和1Ω/150Ω直接耦合法进行测试。传导骚扰则可以通过测量集成电路引脚的射频电流来进行评价 。

6. 高频光电导衰退法

高频光电导衰退法可以用来测量半导体单晶硅样品的少子寿命 。

7. 恒定表面光电压法

恒定表面光电压法可以用来测量硅样品中少子的扩散长度 。

8. 霍尔效应测试

霍尔效应测试可以用来测定长条、范德堡样品的电阻率、电导率、霍尔系数、衬底浓度、迁移率等多个电学参数 。

9. 高频MOSC-V特性测试

高频MOSC-V特性测试可以使用高频C-V特性测试仪、X-Y函数记录仪等测定常温、BT温度、偏置电压处理温度下的MOSC-V特性曲线，并由曲线计算样品的SiO2膜厚、衬底浓度、可动离子、固定电荷、平带电压等参数 。

以上就是根据提供的搜索结果整理的西安微电子所集成电路检验方法。需要注意的是，这些方法可能随着技术的发展而更新，具体的操作流程和细节可能会有所不同。如果您需要了解更多详细的信息，建议直接访问西安微电子技术研究所的官方网站或联系他们获取最新的检验方法和流程。