西安电子科技大学GaN基器件研究

西安电子科技大学在GaN基器件研究方面取得了重要的进展。以下是该校在GaN基器件研究方面的一些成果：

晶圆级Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管

西安电子科技大学微电子学院实现晶圆级Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管。该研究团队以创新工艺实现增强型Si-GaN共源共栅晶体管的单片异质集成，异质集成工艺过程中无需晶圆键合设备或MOCVD等昂贵设备，可显著降低器件制备成本。

高效率GaN基电力电子技术

西安电子科技大学的研究项目旨在全面突破高效GaN基电力电子技术，在千瓦级光伏系统中实现GaN太阳能逆变器的示范应用，推动GaN基中等功率电源的产业化进程。

GaN基FinFET器件结构及特性研究

西安电子科技大学的研究人员对GaN基FinFET器件结构进行了研究，并通过Sentaurus集成化仿真平台模拟了AlGaN/GaNFinFET器件结构，对比分析了Fin宽、侧栅高度、栅长以及AlGaN势垒层中Al组分的变化对器件特性的影响。

综上所述，西安电子科技大学在GaN基器件研究方面取得了显著的成就，特别是在晶圆级Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管、高效率GaN基电力电子技术和GaN基FinFET器件结构及特性研究等方面。这些研究成果不仅提升了器件的性能，还有助于推动相关技术的产业化进程。