中兴半导体技术突破

中兴半导体技术在近年来取得了显著的突破。以下是具体的突破情况：

1. 7纳米芯片技术

中兴通讯已经成功掌握了7nm芯片设计技术，并且能够投入批量生产使用。此外，中兴通讯还计划在2021年左右实现5nm工艺的商用，显示出其在半导体工艺上已经达到世界领先水平。

2. 5纳米芯片技术

中兴通讯宣布将使用5nm芯片技术，该技术预计将在明年发布，预计将带来更高的性能和更低的能耗。

3. 第四代半导体技术

中兴通讯在8英寸的硅片上制造出了高质量的氧化镓外延片，这标志着中国在第四代半导体技术上取得了重要进展。

4. 半导体材料与制造设备国产化

随着国内半导体产业的快速发展，对设备和材料的需求不断增加，推动相关产业的国产化进程。这意味着中兴半导体在材料与设备国产化的支持下，其技术突破更具意义。

5. 关键核心技术掌握

中兴通讯向全球展示了其在5G标准必要专利(SEP)方面的实力，位列全球前三。这表明中兴通讯不仅在芯片设计上有突破，还在关键核心技术的掌握上取得了进展。

6. 研发投入增加

中兴通讯在芯片研发上的突破，显示出了公司在科技研发领域的加大投入。这种战略调整使得中兴通讯能够在半导体技术上取得一系列的新突破。

综上所述，中兴半导体在7纳米和5纳米芯片技术、第四代半导体技术以及关键核心技术的掌握上都有显著的进展。这些突破不仅提升了中兴通讯在全球通信领域的竞争力，也为中国的半导体行业带来了新的发展机遇。